第三代半導(dǎo)體在我國(guó)發(fā)展的開端應(yīng)追溯至2013年。當(dāng)年我國(guó)科技部制定“863計(jì)劃”首次明確將第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)劃定為國(guó)家戰(zhàn)略發(fā)展產(chǎn)業(yè)。隨后2016年，國(guó)務(wù)院國(guó)家新產(chǎn)業(yè)發(fā)展小組將第三半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)列為發(fā)展重點(diǎn)之一。至此，我國(guó)企業(yè)開始加大對(duì)第三半導(dǎo)體研發(fā)投入。2018年中車時(shí)代電氣建成了我國(guó)首條6英寸碳化硅SiC生產(chǎn)線。同年泰科天潤(rùn)建成了我國(guó)首條碳化硅SiC器件生產(chǎn)線。2019年，三安集成建成了我國(guó)首條6英寸氮化鎵GaN外延芯片產(chǎn)線并投入量產(chǎn)。2020年華潤(rùn)微宣布國(guó)內(nèi)首條6英寸商用SiC晶圓生產(chǎn)線正式量產(chǎn)。
2020年第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)被編入了我國(guó)“十四五”規(guī)劃。截至當(dāng)年底，我國(guó)SiC導(dǎo)電型襯底折算4英寸產(chǎn)能約40萬片/年，SiC-on-SiC外延片折算6英寸產(chǎn)能約為22萬片/年，SiC-onSiC器件/模塊(4/6英寸兼容)產(chǎn)能約26萬片/年。GaN-on-Si外延片折算6英寸產(chǎn)能約為28萬片/年，GaN-on-Si器件/模塊折算6英寸產(chǎn)能約為22萬片/年。2021年，我國(guó)SiC襯底環(huán)節(jié)新增投產(chǎn)項(xiàng)目超過7項(xiàng)，新增投產(chǎn)年產(chǎn)能超過57萬片。
目前，GaN電力電子器件主要應(yīng)用在快充領(lǐng)域。SiC電力電子器件重點(diǎn)應(yīng)用于新能源汽車和充電樁領(lǐng)域。隨著，新能源汽車、5G、PD快充等市場(chǎng)的快速發(fā)展，我國(guó)國(guó)產(chǎn)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)能無法滿足市場(chǎng)需求。據(jù)統(tǒng)計(jì)，目前超過八成產(chǎn)品來自進(jìn)口。
2021年我國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，在電力電子和射頻電子兩個(gè)領(lǐng)域，實(shí)現(xiàn)總產(chǎn)值達(dá)127億元。其中SiC、GaN電力電子產(chǎn)值規(guī)模達(dá)58億元。GaN微波射頻產(chǎn)值達(dá)到69億元。在國(guó)家政策的穩(wěn)定支持和下游應(yīng)用市場(chǎng)需求支撐下，預(yù)計(jì)2027年，我國(guó)SiC、GaN電力電子器件應(yīng)用市場(chǎng)有望超660億元，GaN微波射頻器件市場(chǎng)超240億元。2027年我國(guó)第三代半導(dǎo)體整體市場(chǎng)規(guī)模有望超過900億元。
SEMI-e 2022深圳國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)暨應(yīng)用展將于2022年12月7-9日，在深圳國(guó)際會(huì)展中心17號(hào)館（展示面積：5萬平米）舉行。
由中國(guó)通信工業(yè)協(xié)會(huì)、深圳市半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)、廣東省集成電路行業(yè)協(xié)會(huì)、廣州市半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)、江蘇省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)、浙江省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)、成都市集成電路行業(yè)協(xié)會(huì)、深圳市中新材會(huì)展有限公司聯(lián)合主辦。
* SEMI-e上屆展會(huì)現(xiàn)場(chǎng)照片
本屆展會(huì)重點(diǎn)打造的以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為代表的第三代半導(dǎo)體展區(qū)以及第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展高峰論壇等系列同期活動(dòng)。誠(chéng)邀您前來交流！
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